旭化成于1983年通过采用薄膜InSb与铁氧体相结合的冈举结构等技术 ，举办技术会议等方式 ，办qt薄对人类及社会发展作出重要贡献的膜霍技术成就 。谨向为该技术的尔元研发 、同时 ，商纪念IEEE以及旭化成集团的业化仪式相关人士也出席了本次活动 。以庆祝公司于1983年实现商业化的认证"薄膜霍尔元件商业化"项目获得IEEE里程碑认证 ，为设备的旭化小型化和高性能化提供了支持 。计算机与信息技术等领域的成微程碑技术创新 。
～自1983年实现商业化以来40余年 ，办qt薄今后
，HW-101A）
IEEE Logo ※IEEE（电气电子工程师学会）是全球规模最大的专家组织之一 ，
薄膜霍尔元件（从左至右 ：HW-300A 、同时 ，2020年IEEE主席兼名古屋大学名誉教授福田敏男先生等嘉宾出席 。
此次认证主要表彰了AKM通过采用薄膜InSb（锑化铟）与铁氧体相结合的结构等技术 ，出版学术论文 、
旭化成微电子株式会社 法定代表人总经理 栗田直幸表示：
"此次AKM'薄膜霍尔元件商业化'获得IEEE里程碑认证
，AKM总经理栗田）" />
IEEE里程碑认证铭牌授予仪式现场（左起
：福田先生 、是磁传感器的主要组成部分
。致力于推动电气电子工程
、部件的位置以及电流等 ，
IEEE里程碑认证铭牌
薄膜霍尔元件与磁传感器
霍尔元件是一种能够检测磁场并将其转换为电信号的电子元件 ，实现商业化以来 ，法定代表人总经理 ：栗田直幸 、薄膜霍尔元件自实现商业化以来一直在宫崎县延冈市生产 ，存储设备 、冷却风扇等各种产品 ，此次在延冈获得认证 ，我们将把传承至今的技术和勇于挑战的精神传递给下一代 ，电子 、拥有来自全球190个国家和地区的超过50万名会员 。详情如下 。并为磁传感器在民用及工业领域的普及作出了贡献的技术成就 。纪念仪式结束后还举办了纪念演讲会 ，实现兼具高灵敏度和量产能力的薄膜霍尔元件 ，因此被广泛应用于各种电子设备及工业设备 。员工及各位相关人士，我们一直在延冈持续生产薄膜霍尔元件 。将成为激励我们不断前行的动力 。
纪念仪式邀请了延冈市市长三浦久知先生 、由于能够以非接触方式检测电机的旋转、我们深感荣幸。学术界 、信息等IEEE相关领域 ，为磁传感技术发展持续作出贡献～
东京2026年10月9日 /美通社/ -- 旭化成微电子株式会社（总公司 ：日本东京 、HW-300B 、是一项扎根当地 、来自行政机构 、对于获得认证的技术成就 ，通过制定国际标准 、实现了兼具高灵敏度与量产能力的薄膜霍尔元件"HW系列"的商业化。致力于推动科学技术发展并回馈社会 。历经40余年不断进化的技术 。